P－N－P和N－P－N型晶体管

　　在P型晶片中，多数载流子是空穴，而N型晶体中心区域做得极薄，以使得穿过L₁的任何空穴在遇到电子并因此而中性化之前都有到达L₂的极好机会。一旦通过L₂，空穴遇到电子的可能性就极小，所以P－N－P型晶体管的传导性几乎完全依赖于通过它的空穴。

　　N型材料的薄层称为“基极”，而P型的正偏压晶片称为“发射极”，P极的负偏压晶片称为“集电极”。用这些名称的原因是出于对晶体管的工作原理的解释。一个（小的）基极－发射极电流将控制着L₁上的正向偏压，并因此控制着吸入基极的空穴数目。这些 空穴的大多数被集电极的负偏压吸引，因此只要基极足够薄，一块晶片就在聚集着由另一块晶片发射的空穴。

　　在N－P－N型晶体管中，电子是由N型材料的一个结发射后进入一个P型材料薄层（基极），几乎是这些电子的全部，在遇到基极中的空穴之前，就被P型材料的第二个结收集，所以与P－N－P型晶体管比较，N－P－N型晶体管主要是依赖电子传导，并且所加偏压和P－N－P型晶体管相反。

　　图39／6显示了P－N－P晶体管真实结构，而图39／7是它在电路图中的符号。晶体管的工作原理与热阴极电子管类似。但功率消耗量和所加电压比较低。事实上，有时把晶体管的发射极、基极和集电极与电子管的阴极、栅极和阳极进行比较。三极电子管中，相当小的栅极电压的变化，引起大的阳极电流的变化；输入阻抗很高，但输出阻抗比较低。晶体管是输入阻抗低──在20～100Ω范围内，而输出阻抗高──在50～500kΩ之间。一个小的输入电流的变化，在高得多的阻抗下产生输出电流的变化。